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这些胶体就会疲软，随即被溶剂洗掉，而剩余坚挺的光刻胶成为了保护膜，接着用能腐蚀硅的溶剂，把没有光刻胶保护的坑位区域腐蚀掉一层，最后再把光刻胶保护膜清除，就完成了大量深坑的精确雕刻。
同时这种对硅片定向做减法的腐蚀，就是刻蚀（etching）。
刻蚀、沉积、注入粒子就是光刻的基本步骤。
而硅片的每一次光刻又要经过8个步骤，3个烘焙。
光刻步骤：
1清洁及表面处理
用去离子水清洗后，为了给硅片做增黏处理，会用六甲基二硅胺烷的气体（hmdS）熏蒸硅片，使硅片表面充分脱水。
2旋转涂胶
在硅片中间旋转滴入硅刻胶，让硅片高速转动把胶体摊开，在以较慢的速度旋转，让胶体厚度稳定，接着去边处理，去掉边缘一圈的光刻胶。
3 前烘
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